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[2]朱龙德.发射波长为1.3μm的InGaAsP/InP双异质结激光器在室温(300K)连续相干[J]半导体光电.1981,(02)
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[3]葛玉如,高淑芬,王莉,汪孝杰,张盛廉,朱龙德.应用SEM和V-I特性研究1.3μmInGaAsP/InP DH激光器中掺杂的影响[J]半导体学报.1982,(02)
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[4]鲍庆成,王启明,彭怀德,朱龙德,高季林.用MOS方法研究四元混晶In_(0.75)Ga_(0.25)As_(0.58)P_(0.42)中的深能级中心[J]物理学报.1983,(09)
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