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[2]刘文楷,林世鸣,武术,朱家廉,高俊华,渠波,陆建祖,廖奇为,邓晖,陈弘达.GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究[J]半导体学报.2001,(09)
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[3]林世鸣,程澎,康学军,马晓宇,高俊华,刘士安,张光斌,曹青,朱家廉,王红杰,罗丽萍.低阈值红光垂直腔面发射激光器[J]高技术通讯.1999,(07)
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[4]康学军,林世鸣,高俊华,廖奇为,朱家廉,王红杰,张春晖,王启明.Al_xGa_(1-x)As/GaAs多层异质材料中Al_xGa(1-x)As层氧化特性的实验研究[J]半导体学报.1997,(10)
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[5]颜学进,张权生,石志文,杜云,祝亚芹,罗丽萍,朱家廉,吴荣汉,王启明.刻蚀腔InGaAsP/InP双异质结激光器的制作与特性[J]半导体学报.1997,(11)
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