朱家廉
【姓名】 朱家廉
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 氧化速度,GaAs,氧化特性,异质材料,双异质结激光器,VCSEL,InGaAsP/InP,集成光电子学,实验研,氧化工艺,反应离子刻蚀,气流量,激光器,DBR,MOEMS,垂直腔,宽接触,表面微机械...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]左玉华,黄昌俊,成步文,蔡晓,毛容伟,李传波,罗丽萍,高俊华,白云霞,姜磊,马朝华,朱家廉,王良臣,余金中,王启明.具有90nm调谐范围的1.3μm Si基MOEMS可调谐光滤波器(英文)[J]半导体学报.2003,(11)
[2]刘文楷,林世鸣,武术,朱家廉,高俊华,渠波,陆建祖,廖奇为,邓晖,陈弘达.GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究[J]半导体学报.2001,(09)
[3]林世鸣,程澎,康学军,马晓宇,高俊华,刘士安,张光斌,曹青,朱家廉,王红杰,罗丽萍.低阈值红光垂直腔面发射激光器[J]高技术通讯.1999,(07)
[4]康学军,林世鸣,高俊华,廖奇为,朱家廉,王红杰,张春晖,王启明.Al_xGa_(1-x)As/GaAs多层异质材料中Al_xGa(1-x)As层氧化特性的实验研究[J]半导体学报.1997,(10)
[5]颜学进,张权生,石志文,杜云,祝亚芹,罗丽萍,朱家廉,吴荣汉,王启明.刻蚀腔InGaAsP/InP双异质结激光器的制作与特性[J]半导体学报.1997,(11)
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