张盛廉
【姓名】 张盛廉
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 InGaAsP/InP,质子轰击,PN结,激光器,InGaAsP,双异质结激光器,界面陷阱,工作温度,有源层,V-I特性,缓冲层,介质膜,MIS结构,偏位,深能级,异质结,条形激光器,P型,限制层,I...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]朱龙德,张盛廉,汪孝杰,王莉,高淑芬.质子轰击条形InGaAsP/InP双异质结激光器[J]半导体学报.1981,(03)
[2]葛玉如,高淑芬,王莉,汪孝杰,张盛廉,朱龙德.应用SEM和V-I特性研究1.3μmInGaAsP/InP DH激光器中掺杂的影响[J]半导体学报.1982,(02)
[3]彭怀德,马朝华,汪孝杰,张盛廉,吕卉,王丽明,武淑珍,马骁宇,张洪琴.1.5μm InGaAsP/InP P型衬底隐埋新月型(PBC)结构激光器[J]半导体学报.1989,(02)
[4]卢励吾,周洁,瞿伟,张盛廉.不同介质膜的InP MIS结构界面陷阱的研究[J]半导体学报.1992,(04)
[5]卢励吾,周洁,瞿伟,张盛廉.P-InP MIS结构界面陷阱的深能级研究[J]电子学报.1993,(11)
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