张富强
【姓名】 张富强
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 砷压,砷间隙扩散,GaMnSb,本征受主缺陷,电化学C-V,MnxGa1-xSb,半绝缘砷化镓,稀磁半导体,磁性半导体,MnSb,热处理,铁磁/半导体异质结,低能离子束,本征缺陷,非掺杂半绝缘,铁磁性...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]彭长涛,陈诺夫,张富强,林兰英.铁磁/半导体异质结材料MnSb/Si的物理气相沉积生长[J]半导体学报.2003,(05)
[2]刘力锋,陈诺夫,张富强,陈晨龙,李艳丽,杨少延,刘志凯.低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜[J]稀有金属.2004,(03)
[3]刘力锋,陈诺夫,张富强,陈晨龙,李艳丽,杨少延,刘志凯.低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si∶Fe固溶体[J]半导体学报.2004,(08)
[4]刘力锋,陈诺夫,张富强,陈晨龙,李艳丽,杨少延,刘志凯.低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜[J]功能材料.2004,(04)
[5]刘力锋,陈诺夫,尹志岗,杨霏,周剑平,张富强.Mn注入n型Ge单晶的特性研究[J]功能材料与器件学报.2005,(01)
[6]杨瑞霞,张富强,陈诺夫.热处理对非掺杂半绝缘GaAs本征缺陷和电特性的影响[J]稀有金属.2001,(06)
[7]张秀兰,张富强,宋书林,陈诺夫,王占国,林兰英,胡文瑞.电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布[J]科学通报.2002,(17)
[8]陈诺夫,张富强,刘志凯,杨少延,柴春林,王占国,林兰英,杨君玲,胡文瑞,林兰英.室温铁磁性半导体Mn_xGa_(1-x)Sb[J]科学通报.2002,(24)
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