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[1]成步文,李代宗,黄昌俊,于卓,张春晖,王玉田,余金中,王启明.UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料[J]半导体学报.2000,(03)
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[2]于卓,李代宗,成步文,黄昌俊,雷震霖,余金中,王启明,梁骏吾.UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学[J]半导体学报.2000,(06)
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[3]李代宗,成步文,黄昌俊,王红杰,于卓,张春晖,余金中,王启明.Raman谱研究不同缓冲层结构对Si_(1-x)Ge_x应力弛豫的影响[J]半导体学报.2000,(08)
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[4]于卓,李代宗,成步文,黄昌俊,雷震霖,余金中,王启明,梁骏吾.用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料[J]半导体学报.2000,(09)
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[5]李代宗,成步文,黄昌俊,王红杰,于卓,张春晖,余金中,王启明.组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征[J]半导体学报.2000,(11)
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[6]李代宗,于卓,雷震霖,成步文,余金中,王启明.Ge_xSi_(1-x)材料生长的改善[J]材料研究学报.2000,(02)
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[7]于卓,成步文,李代宗,余金中,王启明,梁骏吾.Si_(1-x-y)Ge_xC_y材料的外延生长方法[J]半导体杂志.2000,(01)
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[8]于卓,李代宗,成步文,黄昌俊,雷震霖,余金中,王启明,梁骏吾.Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元系材料的应变补偿特性[J]半导体学报.2001,(01)
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[9]李代宗,黄昌俊,于卓,成步文,余金中,王启明.弛豫SiGe衬底上SiGe/Si Ⅱ型量子阱[J]半导体学报.2001,(07)
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[10]于卓,余金中,成步文,雷震霖,李代宗,王启明,梁骏吾.Si_(1-y)C_y合金的固相外延生长及其特性[J]发光学报.1999,(01)
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