尹志岗
【姓名】 尹志岗
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;化学;金属学及金属工艺;
【研究方向】
【发表文献关键词】 GaAs∶Gd薄膜,低能离子束外延,稀磁半导体,GaAs,GaAs衬底,电子能谱,单晶,X光,离子注入,铁磁性,X射线衍射,离子束外延,低能离子束,芯能级,束缚能,积制,特性研究,XPS谱,样品表,科...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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中国期刊全文数据库    共找到18篇
[1]尹志岗;郑怀文;吴金良;张兴旺;.组分均匀的多元半导体合金单晶微重力生长[J]中国科学:技术科学.2025,(12)
[2]尹志岗;董昊;程勇;吴金良;张志伟;张兴旺;.HfO_2基铁电材料准静态负电容机理[J]北京工业大学学报.2025,(03)
[3]李博;尹志岗;吴金良;张兴旺;.铁电四方相BiFeO_3单晶薄膜与Si异构集成研究[J]微纳电子技术.2025,(10)
[4]黄吉东;田琰;程勇;李星星;张丝雨;江季;陈镜壬;王高凯;李景祯;尹志岗;张兴旺;.全组分/带隙可调的二维ZrS_(2(1-x))Se_(2x)半导体合金的外延生长及其光电应用(英文)[J]Science China(Materials).2023,(05)
[5]尹志岗;张兴旺;吴金良;.Ⅲ-Ⅴ族半导体微重力生长研究进展[J]中国科学:物理学 力学 天文学.2020,(04)
[6]尹志岗;张兴旺;吴金良;.半导体材料的微重力生长[J]中国材料进展.2017,(04)
[7]尹志岗;张兴旺;潘秀红;.空间熔体材料科学:实践十号返回式科学实验卫星[J]物理.2016,(04)
[8]张兴旺;吴金良;尹志岗;.InSb光学带隙的掺杂调控研究[J]空间科学学报.2016,(04)
[9]尹志岗;吴金良;张兴旺;.锑化物磁性半导体体材料研究[J]空间科学学报.2016,(04)
[10]白一鸣;张汉;王俊;陈诺夫;姚建曦;黄添懋;张兴旺;尹志岗;付振;.Enhancement of light trapping in thin-film solar cells through Ag[J]Chinese Optics Letters.2011,(03)
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中国重要会议全文数据库    共找到3篇
[1]宋书林;陈诺夫;尹志岗;柴春林;杨少延;刘志凯;.离子注入制备GaAs:Mn薄膜的性质研究[A].第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅲ.2004-09-01
[2]刘志凯;宋书林;陈诺夫;尹志岗;柴春林;杨少延;.室温铁磁性GaN:Cr薄膜的性质研究[A].第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅲ.2004-09-01
[3]刘力锋;陈诺夫;尹志岗;杨霏;周剑平;.Mn注入n型Ge单晶的磁性研究[A].第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅲ.2004-09-01
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承担国家科研项目    共找到1个
[1]尹志岗;.InSb-Au复合结构磁场传感器的偏置磁场调控特性[A].中国科学院半导体研究所;.项目经费 21万元.2008-03-20.资助文献数 0
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