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姚振钰

【姓名】	姚振钰
【职称】	研究员;
【研究领域】	无线电电子学;物理学;材料科学;
【研究方向】	半导体材料物理和薄膜生长研究
【发表文献关键词】	低能离子束,薄膜淀积,质量分离,β-FeSi_2,外延膜,外延法,离子束反应淀积,硅化钴（CoSi_2）薄膜,外延层,ZnO薄膜,结构,硅单晶,硅外延,外延,硅化钴,低温外延,X射线光电子能谱,双离子...
【工作单位】	中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】	中国科学院半导体研究所;
【所在地域】	北京

今年新增/文献篇数	核心期刊论文数	基金论文数	第一作者篇数	总被引频次	总下载频次
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中国期刊全文数据库 共找到10篇

[1]贺洪波,范正修,姚振钰,汤兆胜.GaN蓝光材料新型ZnO/Si外延衬底的溅射沉积[J]中国科学E辑:技术科学.2000,(02)

[2]姚振钰,贺洪波,柴春林,刘志凯,杨少延,张建辉,廖梅勇,范正修,秦复光,王占国,林兰英.在p-Si(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性[J]功能材料与器件学报.2000,(04)

[3]贺洪波,范正修,姚振钰,汤兆胜.Sputtering of ZnO buffer layer on Si for GaN blue light emitting materials[J]Science in China(Series E:Technological Sciences).2000,(01)

[4]廖梅勇,秦复光,柴春林,刘志凯,杨少延,姚振钰,王占国.离子能量和沉积温度对离子束沉积碳膜表面形貌的影响[J]物理学报.2001,(07)

[5]吴正龙,姚振钰,刘志凯,张建辉,秦复光,林兰英.图形衬底上硅区双离子束选择淀积Co研究[J]半导体学报.1999,(11)

[6]贺洪波,范正修,姚振钰.多种基底上溅射沉积ZnO薄膜的结构[J]功能材料与器件学报.1999,(01)

[7]吴正龙,姚振钰,张建辉,刘志凯,秦复光.在Si(111)上外延生长硅化钴薄膜的SEM和XPS研究[J]北京师范大学学报(自然科学版).1998,(04)

[8]任治璋,王向明,姚振钰,刘志剀,秦复光.低能离子束在薄膜淀积中的应用[J]微细加工技术.1991,(01)

[9]姚振钰,任治璋,王向明,刘志凯,黄大定,秦复光,林兰英.用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi_2半导体外延膜的初步研究[J]半导体学报.1992,(08)

[10]黄大定,姚振钰,壬治璋,王向明,刘志凯,秦复光.质量分离低能离子束外延超薄硅单晶的初步研究[J]半导体学报.1993,(08)

中国重要会议全文数据库 共找到7篇

[1]廖梅勇;刘志凯;柴春林;杨少延;秦复光;姚振钰;王古国;.低能离子束技术制备纳米碳管初探[A].第一届全国纳米技术与应用学术会议论文集.2000-11-01

[2]杨少延;柴春林;廖梅勇;刘志凯;姚振钰;秦复光;王占国;.GaN蓝光材料新型外延衬底ZnO/Si的低能O~+离子束辅助PLD法生长[A].2000年材料科学与工程新进展（下）——2000年中国材料研讨会论文集.2000-06-30

[3]杨少延;柴春林;刘志凯;廖梅勇;姚振钰;秦复光;王占国;.低能O~+离子束辅助PLD法外延生长ZnO薄膜[A].第一届全国纳米技术与应用学术会议论文集.2000-11-01

[4]刘志凯;廖梅勇;姚振钰;柴春林;杨少延;王占国;.质量分离低能离子束制备极光滑类金刚石薄膜[A].第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集.2001-10-01

[5]杨少延;柴春林;刘志凯;廖梅勇;姚振钰;秦复光;王占国;.ZnO薄膜的IBA-PLD法外延生长研究[A].第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集.2001-10-01

[6]秦复光;姚振钰;江海;刘志凯;黄大定;林兰英;武国英;郝一龙;李志宏;张国炳;陈文茹;顾页;.在有图形衬底上COSi_2的选择生长[A].第二届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1995-10-23

[7]姚振钰;林兰英;.半导体性SiC的研究和开发在加速中[A].第二届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1995-10-23