杨雪珍
【姓名】 杨雪珍
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;化学;无机化工;
【研究方向】
【发表文献关键词】 直拉硅单晶,硅外延,石墨,热化学反应,石英,拉晶,硅单晶,涂硅,反应器,层错密度,热解石墨,碳氢化合物,甲烷,反应产物,碳化硅,单晶,石墨表面,拉晶工艺,尾气,蒸气压,流速,化学稳定,平衡常数,直拉单...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】
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[1]蔡田海,尹恩华,杨雪珍,韩文蔷.硅外延反应器中氢与石墨热化学反应的研究[J]固体电子学研究与进展.1982,(04)
[2]梁骏吾,黄大定,汪光川,尹恩华,杨雪珍.直拉硅单晶碳沾污的研究[J]半导体学报.1984,(01)
[3]李治昌;李虹;杨雪珍;尹恩华;.金属浓缩取样器的研制[J]低温与特气.1984,(01)
[4]尹恩华;杨雪珍;于凤来;郎文卉;.硅烷的分析[J]低温与特气.1985,(01)
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