徐寿定
【姓名】 徐寿定
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 低温光致发光,Ⅲ-Ⅴ族半导体,受主杂质,GaAs,高纯度,砷化镓外延,汽相外延,光致发光谱,声子,A峰,受主,荧光法测定,激发光强,硼含量,伴线,液相外延,跃迁,中性受主,光致发光,校准曲线,声子耦合...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]陈廷杰,吴灵犀,徐寿定,孟庆惠,于鯤,李永康.高纯度砷化镓外延薄膜剩余受主杂质的研究[J]发光与显示.1981,(02)
[2]于鲲,孟庆惠,李永康,吴灵犀,陈廷杰,徐寿定.Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的低温光致发光[J]半导体学报.1981,(03)
[3]陈廷杰,吴灵犀,徐寿定,孟庆惠,于鲲,李永康.高纯度砷化镓残留受主BA、DA峰的电子声子耦合[J]半导体学报.1982,(03)
[4]孟庆惠,于鲲,李永康,许振嘉,陈廷杰,吴灵犀,徐寿定.光荧光法测定硅中磷、硼含量[J]半导体学报.1983,(01)
[5]徐寿定,李瑞云.高纯VPE-GaAs、LPE-GaAs的电学性质[J]半导体学报.1983,(04)
[6]王占国,石志文,徐寿定,傅建明,林兰英.微重力条件下生长GaAs单晶的电学和光学性质研究[J]半导体学报.1988,(05)
[7]王占国,戴元筠,徐寿定,杨锡权,万寿科,孙虹,林兰英.SI-GaAs单晶热稳定性及其电学补偿机理研究[J]固体电子学研究与进展.1991,(03)
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