魏策军
【姓名】 魏策军
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 霍耳迁移率,简并,基区,特性计算,模腔,腔体,发射结,渡越时间,弹道,GaAs,ET材料,HEMT,异质结晶体管,迁移率,Q值,藕合,微波,圆柱腔,负阻,载流,发射极,霍耳系数,晶体管,霍耳电场,渡越...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】
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[1]魏策军,Dr.W.Bauhofer,周洁,张执中.用简并双模腔测量微波霍耳迁移率[J]半导体学报.1980,(01)
[2]魏策军.晶体管延迟注入渡越时间器件的原理与分析[J]电子学报.1981,(01)
[3]魏策军,王颜铸.N~+-p-N~+GaAs弹道结构的Ⅰ-Ⅴ特性计算[J]电子学报.1983,(06)
[4]魏策军,陈振荣,赵月英.一种非破坏性地同时测定FET材料中载流子和迁移率分布的方法[J]固体电子学研究与进展.1984,(04)
[5]魏策军,尹晓明,邵全远,陈振荣.选择性掺杂异质结晶体管[J]电子学报.1985,(06)
[6]魏策军.HEMT直流特性、微波和噪声参量的计算[J]电子学报.1987,(04)
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