王占国
【姓名】 王占国
【职称】 研究员;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;材料科学;
【研究方向】 半导体材料和材料物理研究
【发表文献关键词】 新材料产业,新材料技术,稀土功能薄膜,IBE,纳米技术,高纯生长,低温外延,半导体照明,产业发展前景,相关产业,生态环境材料,信息材料,世界制造业,纳米材料,市场需求,高技术产业发展,半导体灯,高性能...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[8]刘斌;孙国胜;刘兴昉;张峰;董林;郑柳;闫果果;刘胜北;赵万顺;王雷;曾一平;李锡光;王占国;杨霏;.Fast Homoepitaxial Growth of 4H-SiC Films on 4° off-Axis Substrates in a SiH_4-C_2H_4-H_2 System[J]Chinese Physics Letters.2013,(12)
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[10]屈鹏霏;金鹏;周广迪;王镇;许敦洲;吴巨;郑红军;王占国;.单晶金刚石异质外延用铱复合衬底研究现状[J]人工晶体学报.2023,(05)
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[1]王占国;.中美材料科学双边学术研讨会[A].中国科学院半导体研究所;.项目经费 1.1万元.2008-03-20.资助文献数 0
[2]王占国.有机/无机复合半导体光伏器件结构设计、制备与性质研究[A].中国科学院半导体研究所.项目经费 150万元.2009-03-20.资助文献数 0
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