王万年
【姓名】 王万年
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;自动化技术;
【研究方向】 半导体材料的理化分析
【发表文献关键词】 新施主,热施主,热处理,霍耳系数,吸收带,等高线图,生成率,预热处理,电子结构,间热处理,热处理时间,单晶,间隙氧,能级,电阻率,CZ硅,施主态,方块电阻,测量系统,氧浓度,Hall系数,半自动,T_...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]李成基,李韫言,王万年,何宏家.半绝缘砷化镓Hall测量中的若干问题[J]功能材料与器件学报.2000,(04)
[2]王万年,李成基,李韫言.砷化镓扩散长度的变加速电压束感生电流法测量[J]功能材料与器件学报.2000,(04)
[3]许振嘉,孙伯康,王万年,张泽华,刘江夏,何广平.热处理硅中的新施主(Ⅰ)[J]电子学报.1981,(06)
[4]许振嘉,孙伯康,王万年,江德生,宋春英.硅中热施主的电子结构[J]物理学报.1982,(10)
[5]许振嘉,孙伯康,王万年,张泽华,刘江夏,何广平.热处理硅中的新施主(Ⅱ)[J]电子学报.1983,(02)
[6]马金泉,王万年,何广平.电阻率和霍耳系数的半自动测量系统[J]物理.1984,(05)
[7]王万年.大圆片样品方块电阻测试及径向等高线图的绘制[J]半导体技术.1989,(02)
[8]高之爽,杜宝石,彭伟亚,高晖,王中兴,祝长宇,康健勋,李际周,杨继廉,张百生,丁永凡,康健,王万年.真空调制YBCO超导电性的原理[J]低温与超导.1992,(04)
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