孙伯康
【姓名】 孙伯康
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 差示光谱法,新施主,硅中氧,差示光谱,热处理,热施主,外延层,碳含量,高纯砷,失配法,参比法,液相外延,GaAs,光致发光,晶格吸收,生长温度,生成率,A峰,杂质,间热处理,浅施主,间隙氧,单晶,误差...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】
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[1]陈廷杰,孙伯康.高纯砷化镓液相外延层内剩余杂质的光致发光研究[J]物理.1981,(07)
[2]许振嘉,孙伯康,王万年,张泽华,刘江夏,何广平.热处理硅中的新施主(Ⅰ)[J]电子学报.1981,(06)
[3]孙伯康,宋春英,张泽华.用失配的样品参比法测定硅中氧和碳的含量[J]稀有金属.1981,(06)
[4]许振嘉,江德生,宋春英,孙伯康,刘江夏.差示光谱法测定硅中的氧和碳[J]半导体学报.1981,(02)
[5]许振嘉,孙伯康,王万年,江德生,宋春英.硅中热施主的电子结构[J]物理学报.1982,(10)
[6]许振嘉,蒋四南,孙伯康,刘江夏.热处理硅中的氧、碳沉淀[J]半导体学报.1982,(06)
[7]许振嘉,孙伯康,王万年,张泽华,刘江夏,何广平.热处理硅中的新施主(Ⅱ)[J]电子学报.1983,(02)
[8]许振嘉,张泽华,孙伯康.用光吸收法测量半绝缘GaAs中Cr浓度的定标曲线[J]半导体学报.1983,(02)
[9]孙伯康;张泽华;宋春英;许振嘉;.掺Si-GaAs的局域振动模吸收[J]稀有金属.1983,(02)
[10]许振嘉,江德生,孙伯康,刘继光,张泽华,刘江夏.注氮硅的光学性质[J]半导体学报.1984,(03)
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