潘荣浚
【姓名】 潘荣浚
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 载流子浓度,外延生长,液相,电子迁移率,外延层,母液,石墨舟,外延方法,迁移率,晶格匹配,烘烤时间,InAs,外延,半导,生长温度,InP单晶,体材料,三元合金系,灵敏范围,色散波,
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/1 0 0 0 0 9
中国期刊全文数据库    共找到1篇
[1]王树堂,潘荣浚,曾靖.In_(0.53)Ga_(0.47)As的液相外延生长[J]半导体学报.1984,(02)
更多