孟宪权
【姓名】 孟宪权
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 量子点,能级间距,调制光谱,InGaAsP量子阱激光器,Franz-Keldysh振荡,InAlAs,InAs,InGaAsP,光致发光,限制层,量子阱激光器,InGaAs,应变层,发光性质,第一激发...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]肖虎;孟宪权;朱振华;金鹏;刘峰奇;王占国;.二次退火制备Ⅲ-Ⅴ族半导体量子点[J]人工晶体学报.2010,(03)
[2]张子旸,金鹏,曲胜春,李成明,孟宪权,徐波,叶小玲,王占国.InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点发光性质的影响[J]微纳电子技术.2003,(02)
[3]金鹏,李成明,张子旸,孟宪权,徐波,刘峰奇,王占国,李乙钢,张存洲,潘士宏.应变层InGaAsP量子阱激光器结构的调制光谱研究[J]微纳电子技术.2003,(03)
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