马志勇
【姓名】 马志勇
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 AlGaN/GaN,MOCVD,功率器件,高电子迁移率晶体管,高电子迁移率管,碳化硅衬底,功率密度,方块电阻,中国科学院,沟道,半导体,蓝宝石衬底,特征频率,电流密度,缓冲层,波段,电子浓度,材料研制...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]王晓亮;胡国新;马志勇;肖红领;王翠梅;罗卫军;刘新宇;陈晓娟;李建平;李晋闽;钱鹤;王占国;.MOCVD生长的SiC衬底高迁移率GaN沟道层AlGaN/AlN/GaN HEMT结构(英文)[J]半导体学报.2006,(09)
[2]王晓亮,刘新宇,胡国新,王军喜,马志勇,王翠梅,李建平,冉军学,郑英奎,钱鹤,曾一平,李晋闽.输出功率密度为2.23W/mm的X波段AlGaN/GaN功率HEMT器件(英文)[J]半导体学报.2005,(10)
[3]肖红领;王晓亮;张明兰;马志勇;王翠梅;杨翠柏;唐健;冉军学;李晋闽;王占国;侯洵;.AlGaN/AlN_a/GaN/AlN_b/GaN HEMT结构材料生长及性能表征[J]半导体技术.2008,(S1)
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[1]肖红领;王晓亮;张明兰;马志勇;王翠梅;杨翠柏;唐健;冉军学;李晋闽;王占国;侯洵;.AlGaN/AlN_a/GaN/AlN_b/GaN HEMT结构材料生长及性能表征[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30
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