吕振东
【姓名】 吕振东
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;化学;
【研究方向】 低维半导体结构光学性质研究
【发表文献关键词】 量子点,InAs,浸润层,自组织生长,量子点结构,光峰,子串,瞬态测量,光致发光,GaAs,些量,高能带,InAs/GaAs,耦合,分子束外延,砷化镓,退火效应,盖层,发光谱,互扩散,能峰,多层耦合,...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]江德生,吕振东,崔丽秋,周向前,孙宝权,徐仲英.低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究[J]发光学报.1999,(01)
[2]王志明,邓元明,封松林,吕振东,陈宗圭,王凤莲,徐仲英,郑厚植,高旻,韩培德,段晓峰.自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究[J]半导体学报.1997,(07)
[3]吕振东,徐仲英,郑宝真,许继宗,王玉琦,王建农,葛惟锟.InAs/GaAs自组织生长量子点结构中浸润层光致发光研究[J]半导体学报.1997,(08)
[4]王志明,吕振东,封松林,赵谦,李树英,吉秀江,陈宗圭,徐仲英,郑厚植.不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响[J]半导体学报.1997,(09)
[5]王志明,吕振东,封松林,赵谦,李树英,吉秀江,陈宗圭,徐仲英,郑厚植.自组织生长InAs/GaAs量子点的退火效应[J]红外与毫米波学报.1997,(06)
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