吕惠云
【姓名】 吕惠云
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 氢含量,硅薄膜,非晶,色谱测定,敏感膜,ISFET,淀积温度,气相,氮化硅,硅膜,非晶硅膜,LPCVD,气相色谱法测定,氮化,氮化硼膜,敏感特性,非晶硅,非晶硅薄膜,热释放,热释放率,高纯氢,配位结构...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]吕惠云,武锦华,尹恩华,刘昌灵,孔光临.气相色谱测定非晶硅薄膜中氢含量[J]半导体学报.1985,(03)
[2]陈克铭,李国花,吕惠云,陈朗星.LPCVD氮化硅膜中的氢含量及其对pH-ISFET敏感特性的影响[J]半导体学报.1991,(12)
[3]吕惠云,陈克铭.气相色谱法测定薄膜中氢含量[J]半导体学报.1993,(03)
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