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[1]于丽娟,金潮渊,芦秀玲,黄永箴.1.55μm偏振不灵敏光放大器结构材料的生长[J]半导体光电.2003,(04)
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[2]刘瑞东,于丽娟,芦秀玲,黄永箴,张福甲.(111)AInP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性[J]液晶与显示.2004,(02)
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[3]郭维廉,郑元芬,沙亚男,张培宁,张世林,李树荣,郑云光,陈弘达,林世鸣,芦秀玲.SPNRD的光电负阻特性与光学双稳态特性间的对应关系[J]半导体光电.2000,(02)
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[4]郑元芬,郭维廉,张世林,张培宁,李树荣,郑云光,陈弘达,吴荣汉,林世鸣,芦秀玲.硅光电负阻器件的光双稳态瞬态特性[J]电子学报.2000,(08)
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[5]张权生,石志文,杜云,芦秀玲,吴荣汉,林世鸣.InGaAsP/InP 有源时分光子交换器件[J]高技术通讯.1998,(01)
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[6]张权生,吴荣汉,林世鸣,高洪海,高文智,吕卉,韩勤,段海龙,杜云,芦秀玲.低阈值InGaAsP/InP PBH双稳激光器[J]半导体学报.1992,(02)
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[7]张权生,吕卉,杜云,马朝华,吴荣汉,高洪海,高文智,芦秀玲.InGaAsP/InP PBH双区共腔双稳激光器的H~+轰击掩膜研究[J]半导体学报.1993,(09)
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