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[2]刘学锋,王玉田,刘金平,李建平,李灵霄,孙殿照,孔梅影,林兰英.GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管[J]半导体学报.1999,(04)
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[3]李建平,黄大定,刘金平,刘学锋,李灵宵,朱世荣,孙殿照,孔梅影.低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响[J]半导体学报.1999,(07)
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[4]黄大定,刘金平,李建平,林燕霞,刘学锋,李灵霄,孙殿照,孔梅影,林兰英.GSMBE原位生长SiGeHBT材料[J]半导体学报.1999,(12)
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[5]刘学锋,李建平,刘金平,孙殿照,孔梅影,王占国.用乙硅烷及固态锗源外延生长应变GeSi/Si合金[J]功能材料与器件学报.1997,(03)
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[6]刘学锋,刘金平,李建平,孙殿照,孔梅影,林兰英.气态源分子束外延GeSi合金中的低温生长动力学研究[J]半导体学报.1998,(05)
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[7]刘学锋,刘金平,李建平,李灵霄,孙殿照,孔梅影,林兰英.GSMBE生长掺杂Si及GeSi/Si合金及其电学性质研究[J]半导体学报.1998,(12)
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[8]刘学锋,李建平,孙殿照.气态源分子束外延生长Ge_xSi_(1-x)/Si异质结合金[J]稀有金属.1998,(01)
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[9]刘学锋,龚秀英,王占国.液相外延生长In_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb及其性质研究[J]半导体学报.1990,(10)
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