刘会赟
【姓名】 刘会赟
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 应力,量子点,量子点激光器,铟铝砷,盖层,红移,量子点材料,InAs,红光量子点,InAlAs,自组装,不同组分,半导,覆盖层,激射,自组织,体材料,重点实验室,有源区,多层耦合,半导体超晶格,激光,...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]王晓东,刘会赟,牛智川,封松林.不同组分In_xGa_(1-x)As(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的影响[J]物理学报.2000,(11)
[2]徐波,刘会赟,王占国,韩勤,钱家骏,梁基本,丁鼎,刘峰奇,张金福,张秀兰.应变自组装InAlAs量子点材料和红光量子点激光器[J]固体电子学研究与进展.2002,(02)
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[1]张金福;刘会赟;徐波;陈涌海;丁鼎;王占国;.种子层对较大共格InAs/GaAs量子点的形成的影响[A].第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集.2001-10-01
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