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林兰英

【姓名】	林兰英
【职称】
【研究领域】	无线电电子学;物理学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】	无坑洞n-3C-SiC/p-Si,LPCVD,异质结特性,磁性p-n结,钆的硅化物,3C-SiC,离子束外延,无坑洞立方相碳化硅,磁性半导体,低压化学气相淀积,单晶硅衬底,蓝宝石(0001),Si(1...
【工作单位】	中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】	中国科学院半导体研究所;
【所在地域】	北京

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中国期刊全文数据库 共找到117篇

[1]林兰英;王占国;.杂质和缺陷在砷化镓中的行为[J]稀有金属.1978,(01)

[2]彭长涛,陈诺夫,张富强,林兰英.铁磁/半导体异质结材料MnSb/Si的物理气相沉积生长[J]半导体学报.2003,(05)

[3]孙国胜,孙艳玲,王雷,赵万顺,罗木昌,张永兴,曾一平,李晋闽,林兰英.无坑洞n-3C-SiC/p-Si(100)的LPCVD外延生长及其异质结构特性(英文)[J]半导体学报.2003,(06)

[4]胡国新,王晓亮,孙殿照,王军喜,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英.RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料[J]半导体学报.2003,(06)

[5]谭利文,王俊,王启元,郁元桓,邓惠芳,王建华,林兰英.双异质外延SOI材料Si/γ-Al_2O_3/Si的外延生长[J]半导体学报.2003,(12)

[6]孙国胜,孙艳玲,王雷,赵万顺,罗木昌,李建平,曾一平,林兰英.Si(100)衬底上n-3C-SiC/p-Si异质结构研究[J]发光学报.2003,(02)

[7]孙国胜,罗木昌,王雷,赵万顺,孙艳玲,曾一平,李晋闽,林兰英.Si(100)和蓝宝石(0001)衬底上3C-SiC的Raman研究(英文)[J]发光学报.2003,(04)

[8]孙国胜,王雷,罗木昌,赵万顺,朱世荣,李晋闽,曾一平,林兰英.Si衬底上无坑洞3C-SiC的外延生长研究[J]固体电子学研究与进展.2003,(02)

[9]王晓亮,胡国新,王军喜,刘宏新,孙殿照,曾一平,李晋闽,孔梅影,林兰英,刘新宇,刘键,钱鹤.MBE生长的跨导为186mS/mm的AlGaN/GaN HEMT[J]固体电子学研究与进展.2003,(04)

[10]周剑平,陈诺夫,宋书林,柴春林,杨少延,刘志凯,林兰英.Si被注入Gd后的磁性及其整流特性的研究[J]物理学报.2003,(06)

中国重要会议全文数据库 共找到7篇

[1]王启元;林兰英;王建华;邓惠芳;蔡田海;郁元桓;.单晶硅中与氢有关的红外吸收光谱分析[A].2000年材料科学与工程新进展（下）——2000年中国材料研讨会论文集.2000-06-30

[2]王启元;林兰英;王建华;邓惠芳;蔡田海;郁元桓;.NTD氢区熔单晶硅退火行为研究[A].2000年材料科学与工程新进展（下）——2000年中国材料研讨会论文集.2000-06-30

[3]孙艳玲;孙国胜;刘肃;王雷;赵万顺;罗木昌;曾一平;林兰英;.蓝宝石(0001)衬底上p-3C-SiC欧姆接触的研究[A].2002年材料科学与工程新进展（下）——2002年中国材料研讨会论文集.2002-10-01

[4]王建农;刘昌灵;褚一鸣;林兰英;杨大宇;.非晶硅微结构的CTEM和HREM研究[A].第三次中国电子显微学会议论文摘要集（二）.1983-06-30

[5]钱家骏;王占国;万寿科;林兰英;.退火直拉硅中小于10nm的微缺陷[A].第五次全国电子显微学会议论文摘要集.1988-10-01

[6]秦复光;姚振钰;江海;刘志凯;黄大定;林兰英;武国英;郝一龙;李志宏;张国炳;陈文茹;顾页;.在有图形衬底上COSi_2的选择生长[A].第二届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1995-10-23

[7]姚振钰;林兰英;.半导体性SiC的研究和开发在加速中[A].第二届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1995-10-23