瞿伟
【姓名】 瞿伟
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 界面陷阱,介质膜,MIS结构,深能级,陷阱,DLTS,俘获截面,能级位置,能级参数,InP材料,界面态,DLTS谱,深中心,InP器件,淀积过程,观察到,原生缺陷,讯号,导带,电子辐照,辐照损伤,子体...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]朱洪亮;瞿伟;王圩;.光电器件介质薄膜电特性检测中的特殊问题及解决办法[J]半导体情报.1991,(05)
[2]卢励吾,周洁,瞿伟,张盛廉.不同介质膜的InP MIS结构界面陷阱的研究[J]半导体学报.1992,(04)
[3]卢励吾,周洁,瞿伟,张盛廉.P-InP MIS结构界面陷阱的深能级研究[J]电子学报.1993,(11)
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