金高龙
【姓名】 金高龙
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 GaAs表面,自对准工艺,NH_4,势垒,GaAs,CoSi,栅极材料,MESFET,CaAs,恒温退火,薄膜电阻,化学钝化,栅极,钝化处理,平整性,原子,电子谱,光致荧光,键合态,快速退火,AES分...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京中国
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[1]金高龙，陈维德，许振嘉.CoSi_2可望成为GaAs　MESFET自对准工艺中的栅极材料[J]半导体学报.1994,(08)
[2]陈维德,金高龙,崔玉德,段俐宏,高志强.CaAs(100)的(NH_4)_2S_x和P_2S_5/(NH_4)_2S_x表面钝化[J]物理学报.1995,(08)
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