江丕桓
【姓名】 江丕桓
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 反型层,低温强磁场,二维电子气,输运特性,量子霍耳效应,二维电子系统,GaAs,异质结,朗道能级,分子束外延,半导,电子浓度,光电导,选择性,场强度,迁移率,调制掺杂,强磁场,GaAs异质结,DX中心...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]郑厚植,程文超,朱詠堂,王杏华,李月霞,毕可奎,李承芳,江丕桓.低温强磁场下Si MOS反型层输运特性的研究[J]低温物理.1985,(03)
[2]江丕桓.量子霍耳效应的发现[J]物理.1986,(07)
[3]江丕桓,李月霞,杨富华,王杏华.分子束外延选择性掺杂的GaAs/N-Al_xGa_(1-X)As异质结中的二维电子气[J]半导体学报.1986,(02)
[4]江丕桓.二维电子系统[J]物理.1987,(11)
[5]朱詠堂,周海平,董谋群,江丕桓,孙殿照,陈宗圭,曾一平.有并联电导的调制掺杂N-Al_xGa_(1-x)As/GaAs异质结[J]固体电子学研究与进展.1988,(01)
[6]董谋群,葛惟锟,江丕桓,孙殿照,陈宗圭.调制掺杂Al_xGa_(1-x)As/GaAs异质结持久光电导的光谱响应[J]半导体学报.1988,(01)
[7]童华,江丕桓,周均铭,黄绮.Al_xGa_(1-x)As/GaAs 异质结界面上二维电子气量子霍耳效应的测量[J]低温物理学报.1989,(03)
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