韩秀峰
【姓名】 韩秀峰
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 重掺硅,间隙氧,氧沉淀,γ-Al_2O_3,异质外延,双异质外延,红外,MOCVD,SOS,高真空,自由载流子吸收,Ｘ射线,Si薄膜,重掺锑,吸收峰,CMOS,外测,红外吸收,测氧,中间隙,俄歇,氧含...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]昝育德,王俊,李瑞云,韩秀峰,王建华,于芳,刘忠立,王玉田,王占国,林兰英.双异质外延Si/Al_2O_3/Si薄膜制作的CMOS器件[J]半导体学报.2004,(07)
[2]王启元,王俊,韩秀峰,邓惠芳,王建华,昝育德,蔡田海,郁元桓,林兰英.Ramping热退火直拉重掺锑硅衬底片的增强氧沉淀[J]半导体学报.1999,(06)
[3]王启元,王俊,韩秀峰,邓惠芳,王建华,昝育德,蔡田海,郁元桓,林兰英.借助硅片减薄重掺硅间隙氧含量低温(10K)红外测量[J]半导体学报.1997,(08)
[4]昝育德,王俊,韩秀峰,王玉田,王维民,王占国,林兰英.γ-Al_2O_3/Si(100)薄膜高真空MOCVD异质外延生长[J]半导体学报.1998,(12)
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