韩阶平
【姓名】 韩阶平
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 光刻技术,刻蚀技术,离子注入,金属膜,半导体器件,扫描电子束,非注入区,蚀图,干法,光致特性,光刻图形,抗蚀,反应室,硝基,光刻胶,大规模集成,离子注,倾斜斗,影光,增感剂,电子束光刻,电子束,集成电...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】
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[1]裴荣祥,洪啸吟,韩阶平,金维新.一种新颖的无显影光刻技术[J]半导体学报.1980,(02)
[2]韩阶平,吕秀英,杨占坤,胥兴才.一种新的金属膜干法刻蚀技术[J]半导体学报.1980,(03)
[3]王培大,韩阶平,裴荣祥,洪啸吟.离子注入无显影刻蚀技术[J]半导体学报.1980,(03)
[4]孙毓平,韩阶平,梁俊厚,葛璜,梁久春.扫描电子束无显影光刻技术[J]半导体学报.1980,(04)
[5]韩阶平,钟慧莉,马俊如,王守武.5-硝基苊光致特性的研究[J]电子学报.1985,(03)
[6]韩阶平,王培大,马俊如,王守武.离子注入抗蚀技术[J]半导体学报.1985,(05)
[7]韩阶平,王培大,马俊如,王守武.离子注入抗蚀技术[J]半导体学报.1986,(06)
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