韩根全
【姓名】 韩根全
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 双生长室,化学气相淀积,准分子激光器,Si/SiGe量子级联激光器,超晶格结构,太赫兹波,子带跃迁,材料生长,半导体材料,温度控制系统,中国科学院,研究进展,级联结构,量子阱,工作原理,计算机控制系统...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]成步文;薛春来;罗丽萍;韩根全;曾玉刚;薛海韵;王启明;.Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长[J]材料科学与工程学报.2009,(01)
[2]韩根全;林桂江;余金中;.Si/SiGe量子级联激光器研究进展[J]物理.2006,(08)
[3]曾玉刚;韩根全;余金中;成步文;王启明;.双生长室超高真空化学气相淀积系统的研制[J]真空.2007,(03)
[4]曾玉刚;韩根全;余金中;.利用ArF准分子激光退火获得小锗量子点的研究(英文)[J]半导体学报.2008,(04)
[5]曾玉刚;韩根全;余金中;.D-UHV/VCD系统中SiGe薄膜的低温生长(英文)[J]半导体学报.2008,(10)
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