高兴国
【姓名】 高兴国
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 外延生
【发表文献关键词】 火行为,薄膜研究,绝缘体上硅,新材料,微电子,GSMBE,微电子材料,外延生长,应变硅,薄膜技术,SiGe合金,CMOS技术,路线图,绝缘体,半导体技术,研究方向,制备方法,Si夹层,SIMOXSOI...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]刘超,高兴国,李建平,曾一平,李晋闽.GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为[J]半导体学报.2005,(06)
[2]高兴国,刘超,李建平,曾一平,李晋闽.硅基微电子新材料SGOI薄膜研究进展[J]微电子学.2005,(01)
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