高文钰
【姓名】 高文钰
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】 高可靠薄栅介质研究
【发表文献关键词】 栅介质,硅表面,硼扩散,击穿场强,薄栅介质,热氧化,预氧化,酸漂,氧化层,电离辐射,击穿电荷,可靠性,栅电容,热电子,击穿性能,界面态密度,多晶硅,击穿特性,热电子注入,掺磷,硅栅,退火时间,清洗液,...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]高文钰,刘忠立,和致经,于芳,梁桂荣,李国花.硅表面清洗对热氧化13nm SiO_2可靠性的影响[J]半导体学报.1999,(05)
[2]高文钰,刘忠立,和致经,张永刚,梁秀琴,梁桂荣.硅表面清洗对7nm热SiO_2栅介质可靠性的影响[J]半导体学报.1999,(10)
[3]高文钰,刘忠立,梁秀琴,于芳,聂纪平,李国花.硼扩散引起薄SiO_2栅介质的性能退化[J]电子学报.1999,(08)
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