高维滨
【姓名】 高维滨
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;仪器仪表工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 外延片,x射线,错向,形貌像,衬度,形貌,微分干涉,X射线,缺陷密度,GaAs,GaAs衬底,外延层,光程差,显微镜,干涉色,倾斜部分,腐蚀剂,新实验,无位错,计算机辅助设计,材料研究,原理与应用,单...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]高维滨,石志文,任庆余,鞠静丽.用X射线形貌技术研究GaAs衬底及GaAs-Al_xGa_(1-x)As DH外延片中的缺陷[J]半导体学报.1981,(04)
[2]高维滨,余金中,任庆余,鞠静丽,石志文,马国荣.用X射线形貌技术研究GaAs衬底及GaAs—Al_xGa_(1-x)As DH外延片中的缺陷[J]半导体光电.1981,(02)
[3]高维滨.新实验技术在材料研究中的应用讲座——第八讲 微分干涉衬度显微镜的原理与应用[J]物理.1983,(09)
[4]高维滨.新实验技术在材料研究中的应用讲座 第十六讲 半导体晶体缺陷显微镜研究中的若干方法[J]物理.1984,(07)
[5]周伯骏,蒋四南,高维滨,方兆强,向贤碧,朱素珍,王玉田,吴让元.衬底错向对LPE-GaAs表面形貌的影响[J]半导体学报.1984,(02)
[6]高维滨;.重掺Te的GaAs单晶缺陷观察中的立体腐蚀[J]金属学报.1984,(05)
[7]高维滨.掺Te无位错GaAs单晶中的船形坑及其组态[J]人工晶体.1985,(Z1)
[8]高维滨.Si晶格常数超高精度传递测量中的标准晶体及制备[J]半导体学报.1991,(07)
[9]高维滨.弹性弯曲支承计算机辅助设计[J]仪器仪表学报.1991,(02)
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