高斐
【姓名】 高斐
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 原位掺杂,锗硅合金材料,气源分子束外延,异质结双极晶体管,GSMBE,Ge/Si,SiGe/Si,发射区,控制技术,外延材料,掺杂气体,基区,N型,杂质分布,生长速率,气源,掺杂浓度,SIMS,外延硅...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]黄大定,刘超,李建平,高斐,孙殿照,朱世荣,孔梅影.GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术[J]固体电子学研究与进展.2003,(02)
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