付荣辉
【姓名】 付荣辉
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 压电效,GSMBE,张应变,电子浓度,载流子浓度,半高宽,X射线,回摆曲线,GaN膜,外延膜,室温光致发光,衍射峰,双晶衍射,材料科学,高质量,双晶,外延层,压电,光峰,中国科学院,GaN外延层,迁移...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]王晓亮,孙殿照,孔梅影,张剑平,付荣辉,朱世荣,曾一平,李晋闽,林兰英.高质量GaN材料的GSMBE生长[J]半导体学报.1997,(12)
[2]张剑平,王晓亮,孙殿照,李晓兵,付荣辉,孔梅影.GaN压电效应对载流子浓度的影响[J]半导体学报.1998,(07)
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