辅阶平
【姓名】 辅阶平
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 感光胶,离子束,非注入区,腐蚀速度,侧向腐蚀,注入条件,光胶,去胶,腐蚀时间,汽相腐蚀,蚀图,剂量范围,和电路,轻离子,不同种类,曝光技术,光刻胶,注入剂量,微细加工技术,二氧化硅,
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】
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[1]王培大,辅阶平.离子束曝光的无显影刻蚀[J]微细加工技术.1983,(01)
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