范缇文
【姓名】 范缇文
【职称】 研究员;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 二次缺陷,锗离子,非晶化,GaAs,硅单晶,欧姆接触,外延层,n－GaAs,分子束外延,配研,注入层,失配,外延材料,沉淀相,缺陷带,热退火,晶体质量,位错,束流,缓冲层,GeSi合金,异质结,层厚度...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/29 7 4 15 59 1802
中国期刊全文数据库    共找到26篇
[1]张砚华,范缇文,陈延杰,吴巨,陈诺夫,王占国.热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响[J]功能材料与器件学报.2000,(04)
[2]范缇文,吴巨,王占国.Ge_xSi_(1-x)/Si中应变的会聚束电子衍射研究[J]功能材料与器件学报.2000,(04)
[3]白元强,莫庆伟,范缇文.分子束外延InAs量子点材料的透射电子显微镜研究[J]北京科技大学学报.1999,(02)
[4]阎春辉，郑海群，范缇文，孔梅影，曾一平，黄运衡，朱世荣，孙殿照.分子束外延GaAs_（1－x）Sb_x／GaAs及界面失配研究[J]半导体学报.1994,(10)
[5]范缇文，丁孙安，张金福，许振嘉.NiIn（Ge）／n－GaAs欧姆接触的研究[J]半导体学报.1995,(07)
[6]邹吕凡，王占国，范缇文.应变异质结外延材料的缓冲层厚度与Frank－Read源的关系研究[J]半导体学报.1996,(03)
[7]范缇文.砷离子注入的GeSi合金中沉淀相的研究[J]电子显微学报.1996,(06)
[8]范缇文;林兰英;.透射电子显微学在半导体材料科学中的应用[J]电子显微学报.1996,(Z1)
[9]吴巨,何宏家,范缇文,王占国,张绵.半绝缘GaAs衬底中位错对MESFETs旁栅效应的影响[J]半导体学报.1997,(07)
[10]范缇文,林兰英.In_(0.5)Ga_(0.5)P/GaAs材料系中有序结构的研究[J]电子显微学报.1997,(03)
更多
中国重要会议全文数据库    共找到3篇
[1]范缇文;阎春辉;郑海群;孔梅影;田连地;周玉清;.MBE生长的GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs系中缺陷的研究[A].第六次全国电子显微学会议论文摘要集.1990-10-01
[2]王建农;范缇文;段晓峰;陆珉华;褚一鸣;.非晶态超晶格的XTEM研究[A].第四次全国电子显微学会议论文摘要集.1986-08-01
[3]范缇文;.砷化镓和直拉硅单晶中微沉淀物的EDS和EELS检测[A].第四次全国电子显微学会议论文摘要集.1986-08-01
更多