邓晓清
【姓名】 邓晓清
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;电信技术;
【研究方向】 硅基二氧化硅阵列波导光栅及其理论研究
【发表文献关键词】 硅基二氧化硅波导,PECVD,平面波导,应力,偏振补偿,PECVD方法,TEOS,双折射效应,二氧化硅,氧化硅,厚膜,包层,偏振相关性,波导,热膨胀系数,英文,双折射,补偿理论,双折射系数,有限元,芯...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]雷红兵,王红杰,邓晓清,杨沁清,胡雄伟,王启明,廖左升,杨基南.采用TEOS和H_2O源PECVD方法生长氧化硅厚膜(英文)[J]半导体学报.2001,(05)
[2]邓晓清,杨沁清,王红杰,胡雄伟,王启明.硅基二氧化硅波导的应力和偏振相关性的数值分析[J]半导体学报.2002,(11)
[3]邓晓清,杨沁清,王红杰,胡雄伟,王启明.硅基二氧化硅波导的双折射效应补偿理论分析[J]半导体学报.2002,(12)
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