崔增文
【姓名】 崔增文
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 反向击穿硅p-n结,硅基光发射器件,Si基光发射器件(LEP),RBSp-n结LED,反偏Si(RBS)p-n结,CMOS,击穿电压,LED器件,p-n结,CMOS工艺,发光强度,英文,集成光电子学,...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]孙增辉,陈弘达,毛陆虹,崔增文,高鹏.与标准CMOS完全兼容的硅基LED器件模拟(英文)[J]半导体学报.2003,(03)
[2]陈弘达,孙增辉,毛陆虹,崔增文,高鹏,陈永权,申荣铉.与CMOS工艺兼容的硅基光发射器件研究进展[J]光电子·激光.2003,(03)
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