陈振荣
【姓名】 陈振荣
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 异质结晶体管,ET材料,迁移率,非破坏性,选择性,负阻,同时测定,载流子,HEMT,耗尽层,高电子迁移率晶体管,霍尔测量,栅控,二维电子气,负阻特性,调制掺杂,耗尽区,增强型,直流特性,GaAs,电子...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】
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[1]魏策军,陈振荣,赵月英.一种非破坏性地同时测定FET材料中载流子和迁移率分布的方法[J]固体电子学研究与进展.1984,(04)
[2]魏策军,尹晓明,邵全远,陈振荣.选择性掺杂异质结晶体管[J]电子学报.1985,(06)
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