安龙
【姓名】 安龙
【职称】
【研究领域】 物理学;工业通用技术及设备;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 薄膜,喇曼散射,Rabi分裂,非热平衡占据,半导体微腔,子带间弛豫,非晶硅,压力光谱,共振隧穿,硅薄膜,激子,垂直磁场,微结构,子带间,非晶,腔模,过渡区域,氢稀释,隧穿,微区,微晶,势垒,非热平衡,...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]章继东,陈京好,邓元明,安龙,章昊,杨富华,李国华,郑厚植.静压下半导体微腔内激子与光子行为的研究[J]光谱学与光谱分析.2003,(02)
[2]安龙,唐艳,章继东,姬扬,谭平恒,杨富华,郑厚植.三势垒隧穿结构中由外加垂直磁场引入的高子带非热占据[J]光谱学与光谱分析.2003,(03)
[3]张世斌,廖显伯,安龙,杨富华,孔光临,王永谦,徐艳月,陈长勇,刁宏伟.非晶微晶过渡区域硅薄膜的微区喇曼散射研究[J]物理学报.2002,(08)
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