朱樟震
【姓名】 朱樟震
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;轻工业手工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 光刻胶显影模型,X射线,镂空硅掩模,深层光刻,同步辐射,Marquardt法,同步辐射X射线光刻,显影速率,X射线光刻,光刻胶,光刻技术,X射线掩模,甲基丙烯酸,光刻掩模,微电,束线,含氯量,图形边缘...
【工作单位】 中国科学院高能物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院高能物理研究所;
【所在地域】 北京
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[1]谢常青,陈梦真,王玉玲,孙宝银,周生辉,朱樟震.同步辐射X射线光刻中光刻胶显影速率模型研究[J]科学通报.1995,(21)
[2]孙宝银,陈梦真,朱樟震,伊福廷.X射线镂空硅掩模在同步辐射X射线深层光刻中的应用[J]真空科学与技术.1995,(03)
[3]谢常青,陈梦真,王玉玲,孙宝银,周生辉,朱樟震.Investigation on resist development rate model for synchrotron radiation X-ray lithography[J]Chinese Science Bulletin.1995,(10)
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