罗振华
【姓名】 罗振华
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 杂质补偿度,结区最大电场,雪崩击穿,硅单晶,高反压,耐压特性,补偿度,大功率晶体管,击穿电压,合格率,耐压,晶体管,微区分布,抽样检测,霍尔法,额定耐压,严格抛光,电视机,突变结,成品,
【工作单位】 上海第二教育学院
【曾工作单位】 上海第二教育学院;
【所在地域】
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[1]吴仲墀,钱佑华,张维宽,罗振华.硅单晶杂质补偿度对超高反压大功率晶体管耐压特性的影响[J]应用科学学报.1991,(01)
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