王科范
【姓名】 王科范
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 电子束蒸发,Ge量子点,反射高能电子衍射,Si单晶,碳化硅单晶,XAFS,固源分子束外延,局域结构,热扩散,硅衬底,碳化温度,Ge/Si,异质外延生长,自组装,RHEED,扩散效应,碳化硅薄膜,摇摆曲...
【工作单位】 中国科学技术大学
【曾工作单位】 中国科学技术大学;
【所在地域】 合肥
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[1]刘金锋;刘忠良;王科范;徐彭寿;汤洪高;.Si(111)衬底上3C-SiC的固源MBE异质外延生长[J]真空科学与技术学报.2007,(01)
[2]潘志云;王科范;刘金锋;徐彭寿;孙治湖;闫文盛;韦世强;.自组装Ge量子点热扩散效应的XAFS研究[J]中国科学技术大学学报.2007,(Z1)
[3]王科范,盛斌,刘金锋,徐彭寿,潘海滨,韦世强.SiO_2/Si(111)表面Ge量子点的生长研究[J]真空科学与技术学报.2005,(05)
[4]王科范,刘金锋,邹崇文,徐彭寿,潘海滨,张西庚,王文君.一种新型Si电子束蒸发器的研制及其应用研究[J]真空科学与技术学报.2005,(01)
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中国博士学位论文全文数据库    共找到1篇
[1]王科范.Si表面Ge量子点的MBE外延生长及其结构表征[D].中国科学技术大学.2006
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[1]徐彭寿;刘金锋;刘忠良;王科范;汤洪高;.SiC薄膜的MBE外延生长及其结构表征[A].第14届全国晶体生长与材料学术会议论文集.2006-11-01
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