王健强
【姓名】 王健强
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 深能级,深中心,不同气氛,GaAs,生长温度,GaAs材料,Ar气,外延生长,电容电桥,生长条件,载流子浓度,电子迁移率,n型,文献,锁相放大器,深能级缺陷,肖特基结,GaAs器件,缺陷能级,导带,
【工作单位】 中国科学技术大学
【曾工作单位】 中国科学技术大学;
【所在地域】
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[1]王健强,吴孝慎,李名复,林耀望.不同气氛中生长VPE-GaAs的深中心[J]半导体学报.1985,(05)
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