王昆黍
【姓名】 王昆黍
【职称】
【研究领域】 核科学技术;无线电电子学;金属学及金属工艺;
【研究方向】 半导体器件的模拟与制备
【发表文献关键词】 垂直布里奇曼法,钝化处理,Γ射线探测器,CdZnTe,CdZnTe晶体,漏电流,固液界面形状,器件制作,核辐射探测器,Cd1-xZnxTe,射线探测器,有限元法,晶体生长,晶片,下降速度,CZT共面栅...
【工作单位】 上海大学
【曾工作单位】 上海大学;
【所在地域】 上海嘉定
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[1]闵嘉华;桑文斌;钱永彪;王昆黍;刘洪涛;詹峰;秦凯丰;樊建荣;.CdZnTe共面栅探测器的电子俘获修正方法[J]功能材料与器件学报.2006,(05)
[2]李万万,桑文斌,闵嘉华,郁芳,张斌,王昆黍.钝化处理对CdZnTe Γ射线探测器漏电流的影响[J]半导体光电.2003,(05)
[3]李万万,桑文斌,闵嘉华,郁芳,张斌,王昆黍,曹泽淳.垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体时固液界面形状的控制[J]半导体学报.2004,(05)
[4]李万万,桑文斌,王昆黍,闵嘉华,张斌.CdZnTe核辐射探测器材料与器件研究进展[J]上海有色金属.2004,(02)
[5]李万万,桑文斌,闵嘉华,郁芳,张斌,王昆黍,曹泽淳.垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体时坩埚下降速度的优化研究[J]无机材料学报.2004,(04)
[6]王昆黍,桑文斌,闵嘉华,腾建勇,张奇,夏军,钱永彪.CdZnTe材料的表面钝化新工艺[J]半导体学报.2005,(07)
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