张晓红
【姓名】 张晓红
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;核科学技术;金属学及金属工艺;
【研究方向】
【发表文献关键词】 氘化锆,锆膜,成像,氕,氘,深度剖析,钛膜,表面氧,氧化层,连续性,二次离子质谱,氧气氧化,DSC分析,氧气压力,腐蚀介质,结合能,厚度影响,价态,氧化物,溅射,物相分析,过渡层,氧化条件,温度,工艺...
【工作单位】 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
【曾工作单位】 中国工程物理研究院核物理与化学研究所;
【所在地域】 绵阳
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[3]梁建华;彭述明;张晓红;刘锦华;周晓松;龙兴贵;.电子束加热与电阻加热蒸发锆膜的结构分析[J]原子能科学技术.2012,(08)
[4]梁建华,彭述明,龙兴贵,张晓红,张涛.氕氘在锆膜中的分布[J]同位素.2003,(Z1)
[5]梁建华,彭述明,龙兴贵,张晓红,周晓松,郝万立.氘化锆的XRD与TG-DSC分析[J]中国核科技报告.2004,(02)
[6]刘文科;曹小华;彭述明;龙兴贵;李宏发;杨茂年;张晓红;颜登云;王维笃;杨本福;.钛膜表面氧气氧化层研究[J]材料导报.2004,(05)
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[1]梁建华;丁伟;周晓松;彭述明;龙兴贵;张晓红;王维笃;.时效氚化锆的氦释放及结构变化[A].第十届中国核靶技术学术交流会摘要集.2009-08-10
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