江风益
【姓名】 江风益
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 ZnTe,Znse,ZnSe,化学汽,应变超晶格,相沉积,金属有机,常压MOCVD,超晶格,应变层,临界厚度,MOCVD,CaF_2,常压,激子峰,外延层,激子,晶格常数,阱宽,失配度,卫星峰,超晶格...
【工作单位】 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;
【所在地域】 江西南昌
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[1]范广涵,关郑平,江风益,范希武,宋士惠.常压 MOCVD 法生长 ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)应变层超晶格[J]人工晶体学报.1990,(01)
[2]杨爱华;江风益;范希武;.ZnSe体单晶的一级和二级拉曼散射[J]发光快报.1990,(04)
[3]江风益,范广涵,范希武,马英忠.在CaF_2衬底上常压MOCVD法生长ZnSe-ZnTe应变超晶格[J]发光学报.1991,(03)
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