洪春荣
【姓名】 洪春荣
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 外延层,液相外延,Ⅴ／Ⅲ比,MOCVD,阴极荧光,GaInP,外延,室温光致发光,新方法,熔液,双晶衍射,发光二极管,透过率,Al组分,自然冷却,半导,生长特性,阴极射线发光光谱,热失配,物理研究所,...
【工作单位】 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;
【所在地域】 吉林长春
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[1]缪国庆，朱景义，李玉琴，洪春荣，元金山.Ga_（0．51）In_（0．49）P的MOCVD生长特性研究[J]发光学报.1996,(01)
[2]缪国庆，元金山，朱景义，李玉琴，洪春荣.在Al_2O_3衬底上GaN的APMOCVD生长[J]发光学报.1996,(02)
[3]元金山,洪春荣,杜维江,王喜林.一种液相外延Ga_(1-x)Al_xAs的新方法[J]发光与显示.1981,(04)
[4]元金山,洪春荣,付德惠,杜维江.npnpGa_(1-x)Al_xAs负阻发光二极管多功能器件(1)[J]半导体光电.1981,(02)
[5]舒占永,杜明泽,蒋红,洪春荣,元金山,金亿鑫,张新夷.MOCVD—InP的低温光致发光光谱[J]红外研究.1989,(02)
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