楚振生
【姓名】 楚振生
【职称】 副研究员;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】 半导体材料和器件研究
【发表文献关键词】 PECVD,氮化硅,介电性,体隙,击穿强度,薄膜,隙态密度,介质膜,非晶硅,空间电荷,射频功率,TFT－LCD,限制法,介电常数,氧化锌,等离子体增强化学气相沉积,衬底温度,空间电荷限制,辉光放电,淀...
【工作单位】 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;
【所在地域】 吉林长春
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[1]楚振生,李炳生,刘益春,申德振,范希武,刘毅南.用锌金属有机源和二氧化碳等离子体增强化学气相沉积的方法制备高质量氧化锌薄膜[J]发光学报.2000,(04)
[2]崔翔天，楚振生，高鹏涛，王志军，常威，郑喜凤，孟宪信.PECVD介质膜性能研究[J]发光学报.1996,(03)
[3]楚振生，朱永福，袁建峰，马凯，黄锡珉.空间电荷限制电流法对a—Si：H隙态密度的测量[J]液晶与显示.1996,(04)
[4]楚振生,朱永福,袁剑锋,马凯,黄锡珉.淀积条件对GD_a-SiN_x薄膜电学特性的影响[J]液晶与显示.1997,(01)
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[1]楚振生;孟宪信;郑喜凤;.纯SiH_4生长的a—Si:H的光吸收性质[A].首届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1992-10-26
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