Kim
【姓名】 Kim
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 GaN,隧穿效应,Mg掺杂GaN,光致发光,分子束外延,发光强度,陷阱,空穴陷阱,受主,施主受主对,空穴,受主能级,反常温度,隧穿,热激活能,电离能,俘获截面,非平衡,分子束外延技术,深能级,
【工作单位】 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;
【所在地域】
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[1]宋航,Ｐａｒｋ Ｓ Ｈ,Ｋａｎｇ Ｔ Ｗ,Ｋｉｍ Ｔ Ｗ.分子束外延高Mg掺杂GaN的发光特性[J]发光学报.1999,(02)
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