朱天伟
【姓名】 朱天伟
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 InAlAs浸润层,PL谱,柱形岛,间隔层厚度,生长停顿,InGaAs量子点,量子点,InAlAs,浸润层,InGaAs,InAs/GaAs,制备及特性,InAs,光峰,FWHM,半导,GaAs,体材...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]朱天伟,张元常,徐波,刘峰奇,王占国.具有InAlAs浸润层的InGaAs量子点的制备和特性研究[J]物理学报.2003,(08)
[2]朱天伟,徐波,何军,赵凤瑷,张春玲,谢二庆,刘峰奇,王占国.InAs/GaAs柱形岛的制备及特性研究[J]物理学报.2004,(01)
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